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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP11N40C
FQP11N40C PDF预览

FQP11N40C

更新时间： 2024-11-15 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 845K
描述
400V N-Channel MOSFET

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FQP11N40C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.7
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：360 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.53 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP11N40C 数据手册

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®
QFET  
FQP11N40C/FQPF11N40C  
400V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
10.5 A, 400V, R  
=
0.5 Ω @V = 10 V  
GS  
DS(on)  
Low gate charge ( typical 28 nC)  
Low Crss ( typical 85pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP11N40C  
FQPF11N40C  
400  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
10.5  
6.6  
42  
10.5 *  
6.6 *  
42 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
360  
11  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
135  
44  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.07  
0.35  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP11N40C  
0.93  
FQPF11N40C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2.86  
--  
θJC  
0.5  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, January 2004  
1234567...10

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FQP11N40C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SPA06N80C3 INFINEON

功能相似

 Cool MOS⑩ Power Transistor
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

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STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP11N40C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP11N40C_08 FAIRCHILD

获取价格

 		400V N-Channel MOSFET
FQP11N40TSTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 400V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQP11N50CF FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQP11P06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V P-Channel MOSFET
FQP11P06 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-11.4 A，175 mΩ，TO-
FQP11P06J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 60V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M
FQP12N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP12N20J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FQP12N20L FAIRCHILD

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 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP12N20LJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 200V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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