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FQP10N60C

更新时间： 2024-09-28 21:22:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1036K
描述
N-Channel QFET® MOSFET 600V, 9.5A, 730mΩ, TO-220 3L, 1000-RAIL

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FQP10N60C 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	9.5 A
最大漏源导通电阻：	0.73 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	38 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQP10N60C 数据手册

April 2007

QFET

FQP10N60C / FQPF10N60C

600V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

9.5A, 600V, R_DS(on)= 0.73Ω @V_GS= 10 V

Low gate charge ( typical 44 nC)

Low Crss ( typical 18 pF)

Fast switching

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

ciency switched mode power supplies, active power factor cor-

rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

TO-220F

FQPF Series

TO-220

FQP Series

G D S

Absolute Maximum Ratings

Symbol

V_DSS

Parameter

FQP10N60C FQPF10N60C

Units

Drain-Source Voltage

600

I_D

Drain Current

- Continuous (T_C= 25°C)

- Continuous (T_C= 100°C)

- Pulsed

9.5

5.7

9.5 *

5.7 *

38 *

(Note 1)

I_DM

Drain Current

V_GSS

E_AS

I_AR

Gate-Source Voltage

± 30

700

9.5

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

P_D

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Power Dissipation (T_C= 25°C)

15.6

4.5

V/ns

156

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

1.25

0.4

W/°C

°C

T_J, T_STG

T_L

-55 to +150

300

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

* Drain current limited by maximum junction temperature.

Thermal Characteristics

Symbol

R_θJC

Parameter

FQP10N60C FQPF10N60C

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

0.8

0.5

2.5

R_θCS

R_θJA

62.5

www.fairchildsemi.com

FQP10N60C / FQPF10N60C Rev. C

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FQP10N60C_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP10N60CF	FAIRCHILD	获取价格	600V N-Channel MOSFET
FQP11N40	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET
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