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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP10N60C_NL
FQP10N60C_NL PDF预览

FQP10N60C_NL

更新时间： 2024-11-16 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 1021K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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FQP10N60C_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：9.5 A
最大漏源导通电阻：0.73 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：38 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP10N60C_NL 数据手册

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April 2007  
®
QFET  
FQP10N60C / FQPF10N60C  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 44 nC)  
Low Crss ( typical 18 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
ciency switched mode power supplies, active power factor cor-  
rection, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D S  
G D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP10N60C FQPF10N60C  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
600  
ID  
Drain Current  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
9.5  
5.7  
38  
9.5 *  
5.7 *  
38 *  
A
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source Voltage  
± 30  
700  
9.5  
V
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
15.6  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
156  
50  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.25  
0.4  
W/°C  
°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
300  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
Parameter  
FQP10N60C FQPF10N60C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.8  
0.5  
2.5  
--  
RθCS  
RθJA  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
www.fairchildsemi.com  
FQP10N60C / FQPF10N60C Rev. C  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP10N60CF FAIRCHILD

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 		600V N-Channel MOSFET
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FQP11N40C_08 FAIRCHILD

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FQP11P06J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 60V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

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