5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQP10N20CTSTU
FQP10N20CTSTU PDF预览

FQP10N20CTSTU

更新时间： 2024-11-16 20:04:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 703K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQP10N20CTSTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：72 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

FQP10N20CTSTU 数据手册

 浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQP10N20CTSTU的Datasheet PDF文件第7页 
November 2013  
FQP10N20C / FQPF10N20C  
®
N-Channel QFET MOSFET  
200 V, 9.5 A, 360 mΩ  
Features  
Description  
•
9.5 A, 200 V, RDS(on) = 360 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V,  
D = 4.75 A  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on-state resistance, and to provide superior switching  
performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies,  
active power factor correction (PFC), and electronic lamp  
ballasts.  
I
•
•
•
Low Gate Charge (Typ. 20 nC)  
Low Crss (Typ. 40.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
D
G
G
D
S
G
D
TO-220  
TO-220F  
S
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP10N20C  
FQPF10N20C  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Drain Current  
200  
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
9.5  
6.0  
38  
9.5 *  
6.0 *  
38 *  
A
ID  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
A
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate to Source Voltage  
30  
210  
9.5  
7.2  
5.5  
V
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
72  
38  
PD  
Power Dissipation  
0.57  
0.3  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
RθJC  
RθJA  
Parameter  
Unit  
°C/W  
°C/W  
FQP10N20C  
FQPF10N20C  
3.33  
Thermal Resistance, Junction to Case, Max  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max  
1.74  
62.5  
62.5  
www.fairchildsemi.com  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQP10N20C / FQPF10N20C Rev. C1  
1
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与FQP10N20CTSTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP10N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP10N50CF FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQP10N50CF_08 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability
FQP10N60 TGS

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C ONSEMI

获取价格

 		N-Channel QFET® MOSFET 600V, 9.5A, 730mΩ, TO-220 3L, 1000-RAIL
FQP10N60C KERSEMI

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C_07 FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP10N60C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 600V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP10N60CF FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET

与FQP10N20CTSTU相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证