5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FQP6N45
FQP6N45 PDF预览

FQP6N45

更新时间： 2024-02-11 08:28:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 574K
描述
450V N-Channel MOSFET

阅读下载

获取价格

FQP6N45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：350 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：98 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP6N45 数据手册

 浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQP6N45的Datasheet PDF文件第7页 
January 2001  
TM  
QFET  
FQP6N45  
450V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply,  
electronic lamp ballast based on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
6.2A, 450V, R  
= 1.1Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 11 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP6N45  
450  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
6.2  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
25  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
350  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
6.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
9.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
98  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.78  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.28  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, January 2001  
12345678

下载PDF

与FQP6N45相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FQP6N45J69Z FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
FQP6N50 FAIRCHILD 500V n-Channel MOSFET

获取价格
FQP6N50C FAIRCHILD 500V N-Channel MOSFET

获取价格
FQP6N60 FAIRCHILD 600V N-Channel MOSFET

获取价格
FQP6N60C FAIRCHILD 600V N-Channel MOSFET

获取价格
FQP6N60C ONSEMI 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，5.5 A，2.0 Ω，TO-220

获取价格

与FQP6N45相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证