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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 350 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP6N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V n-Channel MOSFET |
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| FQP6N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP6N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP6N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP6N60C | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，5.5 A，2.0 Ω，TO-220 |
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| FQP6N60J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP6N70 | FAIRCHILD |
获取价格 |
700V N-Channel MOSFET |
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| FQP6N70 | ONSEMI |
获取价格 |
700V，N 沟道 QFET® |
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| FQP6N70J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP6N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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