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FQP6N45J69Z

更新时间： 2024-01-13 05:50:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 526K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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FQP6N45J69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：350 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP6N45J69Z 数据手册

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April 2000  
TM  
QFET  
FQP6N45  
450V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply,  
electronic lamp ballast based on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
6.2A, 450V, R  
= 1.1Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 11 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
"
G
!
G
D
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP6N45  
450  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
6.2  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
25  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
±ꢀ30  
350  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
6.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
9.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
98  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.78  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢀ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.28  
--  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
R
θ
θ
θ
JC  
CS  
JA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
12345678

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