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FQP7N10L

更新时间： 2024-10-01 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 548K
描述
100V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQP7N10L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQP7N10L  
100V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
•
7.3A, 100V, R  
Low gate charge ( typical 4.6 nC)  
Low Crss ( typical 12 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
= 0.35Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for low voltage applications such as high  
efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
Low level gate drive requirments allowing  
direct operation from logic drives  
D
!
"
! "  
"
"
G !  
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP7N10L  
100  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
7.3  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
5.15  
29.2  
± 20  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
50  
mJ  
A
7.3  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
40  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.27  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
3.75  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
12345678

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FQP7N10L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP14NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.115 ohm - 15A TO-220/TO-22

与FQP7N10L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP7N10LJ69Z FAIRCHILD

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