生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 810 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 85 A | 最大漏源导通电阻: | 0.01 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 300 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP8N25 | FAIRCHILD |
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250V N-Channel MOSFET | |
FQP8N60C | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQP8N60C | KERSEMI |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQP8N60C | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,600 V,7.5 A,1.2 Ω,TO-220 | |
FQP8N80C | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQP8N80C | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,8 A,1.55 Ω,TO-220 | |
FQP8N80C_09 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET | |
FQP8N80C_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FQP8N90C | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET | |
FQP8N90C | ONSEMI |
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N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 6.3A, 1.9Ω |