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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP9N25C
FQP9N25C PDF预览

FQP9N25C

更新时间： 2024-10-01 21:55:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 1136K
描述
250V N-Channel MOSFET

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FQP9N25C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.79Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：285 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.8 A
最大漏极电流 (ID)：8.8 A最大漏源导通电阻：0.43 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP9N25C 数据手册

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QFET®  
FQP9N25C/FQPF9N25C  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
Features  
•
•
•
•
•
•
8.8A, 250V, RDS(on) = 0.43Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 26.5 nC)  
Low Crss ( typical 45.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supplies and motor controls.  
D
{
●
◀
▲
●
●
{
G
TO-220F  
TO-220  
G D  
S
G
D S  
FQPF Series  
FQP Series  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FQP9N25C  
FQPF9N25C  
Units  
V
Drain-Source Voltage  
250  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
- Pulsed  
Drain Current  
8.8  
5.6  
35.2  
8.8 *  
5.6 *  
35.2 *  
A
A
A
IDM  
(Note 1)  
Drain Current  
VGSS  
EAS  
IAR  
EAR  
dv/dt  
PD  
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation (TC = 25°C)  
± 30  
285  
8.8  
7.4  
5.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
74  
38  
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.59  
0.3  
W/°C  
°C  
TJ, TSTG  
TL  
-55 to +150  
300  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
°C  
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP9N25C  
FQPF9N25C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.69  
0.5  
62.5  
3.29  
--  
62.5  
RθJS  
RθJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, March 2004  
1234567...10

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FQP9N25C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP5NK100Z STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP9N25C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP9N25CTSTU FAIRCHILD

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 		300V N-Channel MOSFET
FQP9N30 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 300 V，9 A，450 mΩ，TO-220
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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 300V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，500 V，9 A，800 mΩ，TO-220
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FQP9N50C-F080 FAIRCHILD

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 		Transistor

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