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FQP8N60C PDF预览

FQP8N60C

更新时间： 2024-10-01 22:24:59
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
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10页 928K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQP8N60C 数据手册

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®
QFET  
FQP8N60C/FQPF8N60C  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
7.5A, 600V, R  
= 1.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 28 nC)  
Low Crss ( typical 12 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
!
G
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP8N60C  
FQPF8N60C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
7.5  
4.6  
30  
7.5 *  
4.6 *  
30 *  
A
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
P
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
± 30  
230  
7.5  
14.7  
4.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
AR  
Power Dissipation (T = 25°C)  
147  
48  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.18  
0.38  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP8N60C  
FQPF8N60C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.85  
0.5  
62.5  
2.6  
--  
62.5  
θJC  
θCS  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, March 2004  
1234567...10

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FQP8N60C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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