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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 580 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26.4 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP7N80C | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQP7N80C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，7 A，1.9 Ω，TO-220 |
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| FQP7N80J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP7P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQP7P06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-7 A，410 mΩ，TO-220 |
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| FQP7P06_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQP7P06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 60V, 0.41ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQP7P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET |
|
| FQP7P20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FQP85N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
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