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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP7N20L
FQP7N20L PDF预览

FQP7N20L

更新时间： 2024-10-01 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 561K
描述
200V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQP7N20L 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.68
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：73 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP7N20L 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQP7N20L  
200V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
•
6.5A, 200V, R  
= 0.75Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 6.8 nC)  
Low Crss ( typical 8.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, and motor control.  
Low level gate drive requirement allowing direct  
operation from logic drivers  
D
!
"
! "  
"
"
!
G
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP7N20L  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
200  
6.5  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
4.11  
26  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
73  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.3  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
63  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.51  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.98  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
12345678

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与FQP7N20L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP7N20LJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQP7N30 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220
FQP7N30J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQP7N40 FAIRCHILD

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 		400V N-Channel MOSFET
FQP7N40J69Z FAIRCHILD

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 		650V N-Channel MOSFET
FQP7N80 FAIRCHILD

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 		800V N-Channel MOSFET
FQP7N80_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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