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FQP6N45J69Z

更新时间： 2024-02-09 00:15:53

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	526K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN

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FQP6N45J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	350 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQP6N45J69Z 数据手册

Typical Characteristics

Top :

15^GV^S

10 V

8.0 V

7.0 V

6.5 V

6.0 V

10¹

Bottom : 5.5V

ꢀ

150

ꢀ

10⁰

ꢀ

-55

ꢀ

Notes :

ꢀ

Notes :

1. V_DS= 50V

2. 250 s Pulse Test

ꢁ

1. 250 s Pulse Test

2. T_C= 25

ꢁ

ꢂ

-1

10⁰

10¹

V_GS, Gate-Source Voltage [V]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 1. On-Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

10¹

V_GS= 10V

V_GS= 20V

10⁰

ꢀ

150

ꢀ

Notes :

1. V_GS= 0V

ꢀ

ꢁ

Note : T = 25

ꢁ

2. 250 s Pulse Test

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

I_D, Drain Current [A]

V_SD, Source-Drain Voltage [V]

Figure 3. On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current

and Temperature

1200

1000

800

600

400

200

_iss= C_gs+ C_gd(C_ds= shorted)

C_oss= C_ds+ C

C_rss= C

V_DS= 90V

V_DS= 225V

V_DS= 360V

iss

oss

ꢀ

Notes :

1. V_GS= 0 V

2. f = 1 MHz

rss

ꢀ

Note : I_D= 6.2A

-1

Q_G, Total Gate Charge [nC]

V_DS, Drain-Source Voltage [V]

Figure 5. Capacitance Characteristics

Figure 6. Gate Charge Characteristics

Rev. A, April 2000

1 234 5 6 7 8

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