是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 0.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 270 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 73 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP6N40CF | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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FQP6N40CF | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,FRFET®,400 V,6 A,1.0 Ω,T |
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FQP6N40CF_06 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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FQP6N40CF_12 | FAIRCHILD |
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400V N-Channel MOSFET |
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FQP6N40CF_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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FQP6N45 | FAIRCHILD |
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450V N-Channel MOSFET |
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FQP6N45J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP6N50 | FAIRCHILD |
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500V n-Channel MOSFET |
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FQP6N50C | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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FQP6N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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