5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 1.58 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 73 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP6N40C | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，TO-220 |
|
| FQP6N40CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40CF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，FRFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，T |
|
| FQP6N40CF_06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40CF_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N40CF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| FQP6N45 | FAIRCHILD |
获取价格 |
450V N-Channel MOSFET |
|
| FQP6N45J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP6N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V n-Channel MOSFET |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
