FQP6N40CF

更新时间： 2024-01-01 04:32:46

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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400V N-Channel MOSFET

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FQP6N40CF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	1.58
雪崩能效等级（Eas）：	270 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FQP6N40CF 数据手册

QFET^®

FQP6N40CF

400V N-Channel MOSFET

Features

Description

•

6A, 400V, R

1.1 Ω @V = 10 V

These N-Channel enhancement mode power field effect transis-

tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,

DMOS technology.

DS(on)

Low gate charge ( typical 16nC)

Low Crss ( typical 15pF)

Fast switching

This advanced technology has been especially tailored to mini-

mize on-state resistance, provide superior switching perfor-

mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode. These devices are well suited for high effi-

ciency switched mode power supplies, electronic lamp ballasts

based on half bridge topology.

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Fast recovery body diode (typical 70ns)

{

●

◀

▲

●

{

TO-220

D S

FQP Series

{

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

FQP6N40CF

Units

400

Drain Current

- Continuous (T = 25°C)

- Continuous (T = 100°C)

3.6

(Note 1)

Drain Current

- Pulsed

Gate-Source Voltage

GSS

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

270

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

dv/dt

4.5

Power Dissipation (T = 25°C)

- Derate above 25°C

Operating and Storage Temperature Range

0.58

W/°C

°C

T , T

-55 to +150

300

STG

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

* Drain current limited by maximum junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

FQP6N40CF

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.71

°C/W

θJC

θCS

θJA

Thermal Resistance, Case-to-Sink

0.5

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

FQP6N40CF Rev. A

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6 7 8

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