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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP6N40C
FQP6N40C PDF预览

FQP6N40C

更新时间： 2024-01-31 16:22:33
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 854K
描述
400V N-Channel MOSFET

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FQP6N40C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.58
雪崩能效等级（Eas）：270 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP6N40C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP6N40C/FQPF6N40C  
400V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
electronic lamp ballasts based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
6A, 400V, R  
= 1.0 Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16nC)  
Low Crss ( typical 15pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP6N40C  
FQPF6N40C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
400  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
6
6 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.6  
24  
3.6 *  
24 *  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
270  
6
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.3  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
73  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.58  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP6N40C  
FQPF6N40C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.71  
0.5  
3.31  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2003  
1234567...10

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FQP6N40C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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