5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP5N60
FQP5N60 PDF预览

FQP5N60

更新时间： 2024-02-25 12:47:30
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 547K
描述
600V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQP5N60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NOBase Number Matches：1

FQP5N60 数据手册

 浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQP5N60的Datasheet PDF文件第7页 
April 2000  
TM  
QFET  
FQP5N60  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
5.0A, 600V, R  
= 2.0Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 16 nC)  
Low Crss ( typical 9.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
"
G
!
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP5N60  
600  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
5.0  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
3.15  
20  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
±ꢀ30  
300  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
5.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
12  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
120  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.96  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢀ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.04  
--  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
R
θ
θ
θ
JC  
CS  
JA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
12345678

中文翻译

下载PDF

与FQP5N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP5N60C FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP5N60C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，4.5 A，2.5 Ω，TO-220
FQP5N60C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP5N60J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FQP5N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQP5N90 FAIRCHILD

获取价格

 		900V N-Channel MOSFET
FQP5P10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V P-Channel MOSFET
FQP5P20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V P-Channel MOSFET
FQP5P20J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQP60N03L FAIRCHILD

获取价格

 		30V LOGIC N-Channel MOSFET

与FQP5N60相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证