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FQP5N60C_NL

更新时间： 2024-01-07 04:27:22
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 855K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

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FQP5N60C_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：2.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP5N60C_NL 数据手册

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TM  
QFET  
FQP5N60C/FQPF5N60C  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
4.5A, 600V, R  
= 2.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 15 nC)  
Low Crss ( typical 6.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP5N60C  
FQPF5N60C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4.5  
2.6  
18  
4.5 *  
2.6 *  
18 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
210  
4.5  
10  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
100  
0.8  
33  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.26  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP5N60C  
FQPF5N60C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.25  
0.5  
3.79  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
1234567...10

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