是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.61 | 雪崩能效等级(Eas): | 590 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.8 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.8 A |
最大漏源导通电阻: | 2.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 140 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 19.2 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 | |
SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor | |
STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP5N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET | |
FQP5P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET | |
FQP5P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET | |
FQP5P20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
FQP60N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQP630 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQP630J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FQP630TSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET | |
FQP65N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET | |
FQP65N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,60 V,65 A,16 mΩ,TO-220 |