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FQP5N50C PDF预览

FQP5N50C

更新时间： 2024-01-16 03:00:06
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 889K
描述
Power Field-Effect Transistor

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FQP5N50C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：73 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP5N50C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP5N50C/FQPF5N50C  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballasts  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
5A, 500V, R  
= 1.4 Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 18nC)  
Low Crss ( typical 15pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP5N50C  
FQPF5N50C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
5
5 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.9  
20  
2.9 *  
20 *  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
300  
5
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.3  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
73  
38  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.58  
0.3  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP5N50C  
FQPF5N50C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
1.71  
0.5  
3.31  
--  
θJC  
θJS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, April 2003  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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