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IRFZ44N PDF预览

IRFZ44N

更新时间： 2024-11-24 22:08:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

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IRFZ44N 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
Is Samacsys：N其他特性：ESD PROTECTED
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：49 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ44N 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
TrenchMOSTM transistor  
IRFZ44N  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in switched mode  
power supplies and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
49  
110  
175  
22  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
20  
49  
35  
160  
110  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.4  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
in free air  
60  
-
K/W  
February 1999  
1
Rev 1.000  
12345678

中文翻译

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IRFZ44N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMP60N06-18 VISHAY

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFZ44N,127 NXP

功能相似

 TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
HRFZ44N INTERSIL

功能相似

 49A, 55V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET

与IRFZ44N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44N,127 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
IRFZ44ND ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP
IRFZ44NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET-R Power MOSFET
IRFZ44NS NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44NS INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NS UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFZ44NS/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
IRFZ44NS31A VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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