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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ44NLPBF
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IRFZ44NLPBF

更新时间： 2024-10-30 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON /
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11页 335K
描述
HEXFET㈢Power MOSFET

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IRFZ44NLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.67其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A最大漏极电流 (ID)：49 A
最大漏源导通电阻：0.0175 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ44NLPBF 数据手册

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PD - 95124  
IRFZ44NSPbF  
l AdvancedProcessTechnology  
l SurfaceMount(IRFZ44NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRFZ44NL)  
l 175°COperatingTemperature  
l Fast Switching  
IRFZ44NLPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
l FullyAvalancheRated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0ꢀ0175Ω  
G
Description  
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area& This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
devicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown  
for, provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications&  
ID = 49A  
S
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodatingdiesizesuptoHEX-4&Itprovidesthehighest  
power capability and the lowest possible on-resistance in  
anyexistingsurfacemountpackage&TheD2Pakissuitable  
for high current applications because of its low internal  
connection resistance and can dissipate up to 2&0W in a  
typicalsurfacemountapplication&  
2
TO-262  
D
Pak  
The through-hole version (IRFZ44NL) is available for low-  
profileapplications&  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
49  
35  
160  
3.8  
94  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.63  
± 20  
25  
W/°C  
V
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Avalanche Current  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
9.4  
5.0  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.5  
Units  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/18/04  
1234567...11

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IRFZ44NLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ44NL INFINEON

类似代替

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