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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.67 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 49 A | 最大漏极电流 (ID)： | 49 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0175 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ44NL | INFINEON |
类似代替  |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ44NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET-R Power MOSFET |
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| IRFZ44NS | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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| IRFZ44NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) |
|
| IRFZ44NS | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IRFZ44NS/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| IRFZ44NS31A | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ44NS31B | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ44NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRFZ44NSTRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
|
| IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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