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IRFZ44NS PDF预览

IRFZ44NS

更新时间： 2024-09-12 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

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IRFZ44NS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.02
其他特性：ESD PROTECTED雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A
最大漏极电流 (ID)：49 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ44NS 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
TrenchMOSTM transistor  
IRFZ44NS  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a surface mounting  
plastic envelope using ’trench’  
technology. The device features very  
low on-state resistance and has  
integral zener diodes giving ESD  
protection up to 2kV. It is intended for  
useinswitchedmodepowersupplies  
and general purpose switching  
applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
49  
110  
175  
22  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - SOT404 (D2PAK)  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
20  
49  
35  
160  
110  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.4  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
Minimum footprint, FR4  
board  
50  
-
K/W  
February 1999  
1
Rev 1.000  
12345678

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IRFZ44NS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ44NSTRLPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFZ44NS INFINEON

功能相似

 AUTOMOTIVE GRADE
IRFZ44NSPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢Power MOSFET

与IRFZ44NS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44NS/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
IRFZ44NS31A VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ44NS31B VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ44NSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NSTRL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44NSTRR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB
IRFZ44NSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFZ44PBF INFINEON

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