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IRFZ44VPBF

更新时间： 2024-09-15 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 149K
描述
Ultra Low On-Resistance

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IRFZ44VPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.51
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：115 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.0165 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：220 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ44VPBF 数据手册

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PD - 94826  
IRFZ44VPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
ꢀ Advanced Process Technology  
ꢀ Ultra Low On-Resistance  
ꢀ Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 60V  
ꢀ 175°C Operating Temperature  
ꢀ Fast Switching  
ꢀ Fully Avalanche Rated  
RDS(on) = 16.5mΩ  
G
ꢀ Optimized for SMPS Applications  
ꢀ Lead-Free  
ID = 55A  
S
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current ꢀ  
55  
39  
A
220  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
115  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.77  
± 20  
115  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energyꢁ  
Avalanche Currentꢀ  
mJ  
A
55  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energyꢀ  
Peak Diode Recovery dv/dt ꢂ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
4.5  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.3  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
11/10/03  
12345678

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IRFZ44VPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ48VPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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