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IRFZ44NS31A

更新时间： 2024-11-21 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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IRFZ44NS31A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	49 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFZ44NS31A 数据手册

IRFZ44NS

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

55V R 20mΩ I 49A

DS(ON) D

TO-263AB

0.160 (4.06)

0.190 (4.83)

0.380 (9.65)

0.420 (10.67)

0.045 (1.14)

0.055 (1.40)

0.42

(10.66)

0.21 (5.33)

Min.

0.33

(8.38)

0.055 (1.39)

0.066 (1.68)

0.320 (8.13)

0.360 (9.14)

0.575 (14.60)

0.625 (15.88)

0.63

(17.02)

Dimensions in inches

and (millimeters)

Seating Plate

Mounting Pad

Layout

0.120 (3.05)

0.155 (3.94)

-T-

0.12

(3.05)

0.014 (0.35)

0.096 (2.43)

0.102 (2.59)

0.020 (0.51)

0.027 (0.686)

0.037 (0.940)

0.100 (2.54)

0.130 (3.30)

0.08

(2.032)

0.24

(6.096)

Mechanical Data

Features

Case: JEDEC TO-263AB molded plastic body

• Advanced Trench Process Technology

Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

• High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance

• Specially Designed for Low Voltage DC/DC Converters

• Fast Switching for High Efficiency

Mounting Position: Any

Weight: 1.3g

Packaging codes-options:

31A/31B- 800 per reel, 4.8K per box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics(T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current

V_GS=10V

T_C= 25°C

T_C= 100°C

I_D

160

Pulsed Drain Current⁽¹⁾

I_DM

P_D

Maximum Power Dissipation

Single Pulse Avalanche Energy⁽²⁾

Avalanche Current⁽¹⁾

T_C= 25°C

E_AS

210

I_AR

Repetitive Avalanche Energy⁽¹⁾

E_AR

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

R_θJC

R_θJA

–55 to 175

1.6

Junction-to-Case Thermal Resistance

°C/W

Junction-to-Ambient Thermal Resistance⁽³⁾

Notes: (1) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature

(2) V_DD= 25V, starting T_J= 25°C, L = 470µH, R_G= 25Ω, I_AS= 25A

(3) Mounted on a 1 sq. inch, 2 oz. Cu pad on PCB.

1/23/01

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ44NS31B	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ44NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NSTRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44NSTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| TO-263AB
IRFZ44NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ44PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44R	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ44R	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)

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