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IRFZ44NSTRLPBF

更新时间： 2024-02-21 03:59:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	336K
描述
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-2/3

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IRFZ44NSTRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-2/3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	150 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	49 A	最大漏极电流 (ID)：	49 A
最大漏源导通电阻：	0.0175 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	94 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFZ44NSTRLPBF 数据手册

PD - 95124

IRFZ44NSPbF

l AdvancedProcessTechnology

l SurfaceMount(IRFZ44NS)

l Low-profilethrough-hole(IRFZ44NL)

l 175°COperatingTemperature

l Fast Switching

IRFZ44NLPbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DSS= 55V

l FullyAvalancheRated

l Lead-Free

R_DS(on)= 0ꢀ0175Ω

Description

Advanced HEXFET^®Power MOSFETs from International

Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve

extremely low on-resistance per silicon area& This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

devicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknown

for, provides the designer with an extremely efficient and

reliable device for use in a wide variety of applications&

I_D= 49A

The D²Pak is a surface mount power package capable of

accommodatingdiesizesuptoHEX-4&Itprovidesthehighest

power capability and the lowest possible on-resistance in

anyexistingsurfacemountpackage&TheD²Pakissuitable

for high current applications because of its low internal

connection resistance and can dissipate up to 2&0W in a

typicalsurfacemountapplication&

TO-262

Pak

The through-hole version (IRFZ44NL) is available for low-

profileapplications&

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

160

3.8

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.63

± 20

W/°C

V_GS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

9.4

5.0

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.5

Units

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Ambient

–––

°C/W

www.irf.com

3/18/04

12 3 4 5 6 7...11

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与IRFZ44NSTRLPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRFZ44NSTRR	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| TO-263AB	获取价格
IRFZ44NSTRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRFZ44PBF	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
IRFZ44PBF	INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET	获取价格
IRFZ44R	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
IRFZ44R	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A)	获取价格

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