IRFZ44STRL

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	1480K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFZ44STRL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFZ44STRL 数据手册

IRFZ44S, IRFZ44L, SiHFZ44S, SiHFZ44L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFZ44S, SiHFZ44S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.028

RoHS*

•

Low-Profile Through-Hole (IRFZ44L, SiHFZ44L)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extermely low

on resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extermely efficient reliabel deviece for use in a wide

variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and lowest possible on-resistance

in any existing surface mount package. The D²PAK is

suitable for high current applications because of its low

internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W

in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

The through-hole version (IRFZ44L/SiHFZ44L) is available

for low profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ44SPbF

SiHFZ44S-E3

IRFZ44S

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRRPbF^a

SiHFZ44STR-E3^a

IRFZ44STRR^a

D²PAK (TO-263)

IRFZ44STRLPbF^a

SiHFZ44STL-E3^a

IRFZ44STRL^a

I²PAK (TO-262)

IRFZ44LPbF

SiHFZ44L-E3

IRFZ44L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ44S

SiHFZ44STR^a

SiHFZ44STL^a

SiHFZ44L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage^f

Gate-Source Voltage^f

SYMBOL

LIMIT

UNIT

V_DS

V_GS

Continuous Drain Current^e

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

_C= 25 °C

200

1.0

100

3.7

150

4.5

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

I_DM

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

E_AS

P_D

_A= 25 °C

T_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, f}

dV/dt

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature^d)

T_J, T_stg

- 55 to + 175

300

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V; starting T_J= 25 °C, L = 44 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 51 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 51 A, dI/dt ≤ 250 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

f. Uses IRFZ44/SiHFZ44 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91293

S-Pending-Rev. A, 23-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFZ44STRL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFZ44SPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
SIHFZ44S-GE3	VISHAY	功能相似	Power MOSFET

与IRFZ44STRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ44STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ44STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ44STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ44V	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
IRFZ44V	SUNTAC	获取价格	N-CHANNEL Power MOSFET
IRFZ44VL	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
IRFZ44VLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ44VPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRFZ44VPBF	KERSEMI	获取价格	Advanced Process Technology
IRFZ44VS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)

与IRFZ44STRL相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

31
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFZ44STRL

IRFZ44STRL 技术参数

IRFZ44STRL 数据手册

IRFZ44STRL 替代型号

与IRFZ44STRL相关器件

与IRFZ44STRL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFZ44STRL

IRFZ44STRL 技术参数

IRFZ44STRL 数据手册

IRFZ44STRL 替代型号

与IRFZ44STRL相关器件

与IRFZ44STRL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？