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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 7.4 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 863886 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Other | Samacsys Footprint Name： | D2PAK(TO-263AB) |
| Samacsys Released Date： | 2018-08-09 09:09:38 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 73 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 57 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 57 A | 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 92 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 230 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF1010NSTRLPBF | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ44VZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ44VZSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ44VZSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ44Z | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
|
| IRFZ44ZL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
|
| IRFZ44ZLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
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| IRFZ44ZPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
|
| IRFZ44ZS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A) |
|
| IRFZ44ZSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
|
| IRFZ44ZSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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