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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ44ZSPBF
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IRFZ44ZSPBF

更新时间： 2024-09-10 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 288K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9mヘ , ID = 51A )

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IRFZ44ZSPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7

IRFZ44ZSPBF 数据手册

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PD - 95379  
IRFZ44ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFZ44ZSPbF  
Features  
O
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
IRFZ44ZLPbF  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 13.9mΩ  
G
Description  
ID = 51A  
S
Specifically designed for Automotive applica-  
tions,thisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthe  
latestprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction  
operatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These  
features combine to make this design an ex-  
tremely efficient and reliable device for use in  
Automotive applications and a wide variety of  
other applications.  
D2Pak  
IRFZ44ZS  
TO-262  
IRFZ44ZL  
TO-220AB  
IRFZ44Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51  
Units  
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
D
D
36  
200  
80  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
86  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (tested)  
105  
IAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
-55 to + 175  
A
EAR  
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.87  
–––  
62  
Units  
Rθ  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
06/07/04  
1234567...13

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IRFZ44ZSPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF1010NSTRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44VZSPBF INFINEON

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 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) =

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44ZSTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44ZSTRLPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRFZ44ZSTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ45 SAMSUNG

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 		N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFZ45-001 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-003 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ45-003PBF INFINEON

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 		50A, 60V, 0.035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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