5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFZ44Z
IRFZ44Z PDF预览

IRFZ44Z

更新时间： 2024-10-31 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 333K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ44Z 数据手册

 浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ44Z的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94797  
IRFZ44Z  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRFZ44ZS  
Features  
IRFZ44ZL  
O
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
R
DS(on) = 13.9mΩ  
G
Description  
Specifically designed for Automotive applica-  
tions,thisHEXFET® PowerMOSFETutilizesthe  
latestprocessingtechniquestoachieveextremely  
low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction  
operatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These  
features combine to make this design an ex-  
tremely efficient and reliable device for use in  
Automotive applications and a wide variety of  
other applications.  
ID = 51A  
S
D2Pak  
IRFZ44ZS  
TO-262  
IRFZ44ZL  
TO-220AB  
IRFZ44Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
51  
Units  
A
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
Pulsed Drain Current  
D
D
36  
200  
80  
DM  
P
@TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
D
Linear Derating Factor  
0.53  
± 20  
W/°C  
V
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
EAS  
86  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
E
AS (tested)  
105  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
-55 to + 175  
A
mJ  
°C  
Repetitive Avalanche Energy  
T
J
Operating Junction and  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.87  
–––  
62  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
CS  
JA  
JA  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
0.50  
–––  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
10/8/03  
1234567...12

中文翻译

下载PDF

IRFZ44Z 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFZ44Z INFINEON

类似代替

 HEXFET? Power MOSFET
IRFZ44ZPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =

与IRFZ44Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44ZL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ44ZLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44ZS INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ44ZSPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ44ZSTRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44ZSTRLPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFZ44ZSTRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ45 SAMSUNG

获取价格

 		N-CHANNEL POWER MOSFETS

与IRFZ44Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证