是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.05 |
其他特性: | ESD PROTECTED | 雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 49 A |
最大漏极电流 (ID): | 49 A | 最大漏源导通电阻: | 0.022 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 160 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
AUIRFZ44N | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFZ46NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET | |
IRFZ44NPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET-R Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ44ND | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP | |
IRFZ44NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) | |
IRFZ44NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRFZ44NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET-R Power MOSFET | |
IRFZ44NS | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor | |
IRFZ44NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A) | |
IRFZ44NS | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):60V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
IRFZ44NS/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | |
IRFZ44NS31A | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ44NS31B | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |