5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFZ44N,127
IRFZ44N,127 PDF预览

IRFZ44N,127

更新时间： 2024-11-21 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFZ44N,127 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
其他特性：ESD PROTECTED雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A
最大漏极电流 (ID)：49 A最大漏源导通电阻：0.022 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ44N,127 数据手册

 浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFZ44N,127的Datasheet PDF文件第7页 
Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel enhancement mode  
TrenchMOSTM transistor  
IRFZ44N  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in switched mode  
power supplies and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
49  
110  
175  
22  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
tab  
gate  
2
drain  
g
3
source  
tab drain  
s
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
20  
49  
35  
160  
110  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
1.4  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
in free air  
60  
-
K/W  
February 1999  
1
Rev 1.000  
12345678

中文翻译

下载PDF

IRFZ44N,127 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFZ44N INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.0175ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFZ46NPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ44NPBF INFINEON

功能相似

 HEXFET-R Power MOSFET

与IRFZ44N,127相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ44ND ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP
IRFZ44NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NLPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET-R Power MOSFET
IRFZ44NS NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44NS INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NS UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFZ44NS/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
IRFZ44NS31A VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ44NS31B VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRFZ44N,127相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证