IRFZ44N

更新时间： 2024-11-09 04:23:15

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Power MOSFET

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IRFZ44N

Power MOSFET

V_{DSS =}55V, R_DS(on)= 17.5 mohm, I_D= 49 A

Drain

N Channel

Symbol

Gate

Source

Drain

ELECTRICAL CHARACTERISICS at

C Maximum. Unless stated Otherwise

Value

Tj = 25

Unit

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

Test Conditions

Typ

Max

Min

Volt

V_GS= 0 V_DC,I_D= 250µA

Drain to Source Breakdown Voltage

Drain to Source Leakage Current

V_DS= 55V_DC, V_GS= 0V_DC

V_DS= 44V_DC, V_GS= 0V_DC

I_DSS

250

µA

Tj=150

V_GS= +20V_DC

100

-100

I_GSS

V_GS(th)

Gate to Source Leakage Current

Gate Threshold Voltage

V_GS= -20V_DC

I_D= 250µA

V_DS= V_GS

2.0

4.0

Volt

R_DS(on)V_GS= 10V_DC, I_D= 10A

0.07

Static Drain to Source On - Resistance

Q_G

Gate Charge

I_D= 25A

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q_GS

V_DS= 44V_DC

V_GS= 10V_DC

Q_GD

C_ISS

Input Capacitance

Output Capacitance

Transfer Capacitance

1470

360

C_OSS

C_RSS

V_DS= 25V_DC, V_GS= 0V_DC, f = 1.0MHZ

Turn On Delay Time

Turn Off Delay Time

Rise Time

(on)

(off)

V_DD= 28V_DC, I_D= 25A, R_G= 12

Fall Time

Continuous Source Current

Pulsed Source Current

I_S

I_SM

160

1.3

V_GS= 0V_DC, I_S=25A, Tp = 300µS

Forward Voltage (Diode)

Single Pulse Avalanche Energy

Repetive Avalanche Energy

Avalanche Current

V_SD

E_AS

E_AR

148

9.4

I_AR

(Tj = 25 C unless stated otherwise)

MAXIMUM RATINGS

Parameter

Condition

Symbol

V_GS

Value

+/- 20V

Unit

Volt

Amp

Gate to Source Voltage

Drain to Source

Voltage

Continuous Drain Current

V_DSS

I_D

I_DM

P_D

Amp

Pulsed Drain Current

160

Total Power Dissapation

(T_A= 25 C)

Thermal Resistance

(Junction to Ambient)

R_TH

C/W

(J-A)

Maximum Operating Temperature Range (Tj) -55 to +175

Maximum Storage Temperature Range (Tstg) -55 to +175

Mechanical Dimensions

DIMENSIONS

Millimetres

Inches

Case TO-220-AB Plastic

Dim

Min

10.29

2.62

Max

10.54

2.87

Min

0.405

0.103

Max

0.415

0.113

6.10

6.47

0.240 0.255

3.54

3.78

15.24

14.09

0.139 0.149

1 - Gate

2 & 4 - Drain

3 - Source

14.84

13.47

1.15

0.584

0.530

0.045

0.600

0.555

2 3

1.15

1.400

2.54

4.06

4.69

1.32

2.92

0.55

0.93

0.055

0.100

0.160

0.185

0.052

3.550

4.20

1.22

2.64

0.48

0.69

0.140

0.165

0.048

0.104

0.018

0.027

0.115

0.022

0.037

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ44N,127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
IRFZ44ND	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 49A I(D) \| CHIP
IRFZ44NL	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRFZ44NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET-R Power MOSFET
IRFZ44NS	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ44NS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44NS	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFZ44NS/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 49 A, 55 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
IRFZ44NS31A	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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