是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-3PF | 包装说明: | TO-3PF, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.69 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 250 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.15 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 85 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQAF19N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQAF19N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FQAF20N40 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-247VAR | |
FQAF22N30 | FAIRCHILD |
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300V N-Channel MOSFET | |
FQAF22P10 | FAIRCHILD |
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100V P-Channel MOSFET | |
FQAF26N30 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR | |
FQAF27N25 | FAIRCHILD |
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250V N-CHANNEL MOSFET | |
FQAF28N15 | FAIRCHILD |
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150V N-Channel MOSFET | |
FQAF30N40 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 400V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FQAF33N10 | FAIRCHILD |
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100V N-Channel MOSFET |