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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PF | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 710 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 16.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 16.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 66.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQAF26N30 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247VAR |
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| FQAF27N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-CHANNEL MOSFET |
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| FQAF28N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
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| FQAF30N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 400V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQAF33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQAF33N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQAF34N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQAF34N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQAF34N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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| FQAF40N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V N-Channel MOSFET |
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