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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS350 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
|
| IRFS3507 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFS3507PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRFS3507TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS3507TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFS3507TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRFS350A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| IRFS351 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10.4A I(D) | SOT-186VAR |
|
| IRFS352 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFS353 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
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