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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS3307
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IRFS3307

更新时间： 2024-10-01 22:40:59
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
HEXFET Power MOSFET

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PD - 96901A  
IRFB3307  
IRFS3307  
IRFSL3307  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
75V  
5.0m  
6.3m  
:
:
G
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
ID  
130A  
Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
G D S  
G D S  
G D S  
D2Pak  
IRFS3307  
TO-262  
IRFSL3307  
TO-220AB  
IRFB3307  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current d  
Max.  
130c  
91c  
Units  
A
510  
PD @TC = 25°C  
250  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
1.6  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
11  
Peak Diode Recovery f  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
270  
mJ  
A
Avalanche Currentꢀc  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b  
Repetitive Avalanche Energy g  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.61  
–––  
62  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case k  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
0.50  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
Junction-to-Ambient, TO-220 k  
2
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D Pak  
jk  
www.irf.com  
1
11/04/04  
1234567...11

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IRFS3307 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS3307TRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307ZPBF INFINEON

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IRFS3307PBF INFINEON

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IRFS3307_06 INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3307TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307TRR INFINEON

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 		暂无描述
IRFS3307TRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307Z INFINEON

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 		75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3307ZPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3307ZPBFTRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307ZTRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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