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IRFS3307ZPBF

更新时间： 2024-10-02 03:10:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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11页	836K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFS3307ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.56
Base Number Matches：	1

IRFS3307ZPBF 数据手册

PD - 97214B

IRFB3307ZPbF

IRFS3307ZPbF

IRFSL3307ZPbF

Applications

l High Efficiency Synchronous Rectification in

SMPS

HEXFET^®Power MOSFET

l Uninterruptible Power Supply

l High Speed Power Switching

l Hard Switched and High Frequency Circuits

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

I_{D (Silicon Limited)}

I_{D (Package Limited)}

75V

4.6m

5.8m

120A

Benefits

75A

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt

Capability

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRFB3307ZPbF

IRFS3307ZPbF

IRFSL3307ZPbF

Gate

Drain

Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Max.

120c

88c

Units

I_D@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current d

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

480

P_D@T_C= 25°C

230

Maximum Power Dissipation

1.5

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

± 20

Gate-to-Source Voltage

6.7

Peak Diode Recovery f

dv/dt

T_J

V/ns

°C

-55 to + 175

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

300

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

10lbxin (1.1Nxm)

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

Avalanche Characteristics

Single Pulse Avalanche Energy e

E_{AS (Thermally limited)}

140

Avalanche Currentꢀc

I_AR

Repetitive Avalanche Energy g

E_AR

Thermal Resistance

Symbol

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.65

–––

Units

R_θJC

Junction-to-Case k

R_θCS

R_θJA

0.50

–––

°C/W

Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220

Junction-to-Ambient, TO-220 k

Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D²Pak jk

www.irf.com

05/31/07

12 3 4 5 6 7...11

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IRFS3307ZPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFS3307ZTRLPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3307ZTRRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3307	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRFS3307ZPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFS3307ZPBFTRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307ZTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3307ZTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS33N15D	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
IRFS33N15DPB	INFINEON	获取价格	High frequency DC-DC converters
IRFS33N15DPBF	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRFS33N15DTRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFS340	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 6.9A I(D) \| SOT-186VAR
IRFS340A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power Mosfet
IRFS340B	FAIRCHILD	获取价格	400V N-Channel MOSFET

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