是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.29 |
雪崩能效等级(Eas): | 270 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 75 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 120 A | 最大漏极电流 (ID): | 75 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0063 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 510 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFS3307Z | INFINEON |
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75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 | |
IRFS3307ZPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFS3307ZPBFTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRFS3307ZTRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRFS33N15D | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A) | |
IRFS33N15DPB | INFINEON |
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High frequency DC-DC converters | |
IRFS33N15DPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET | |
IRFS33N15DTRR | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFS340 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 6.9A I(D) | SOT-186VAR |