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IRFS3207ZTRLPBF PDF预览

IRFS3207ZTRLPBF

更新时间： 2024-10-02 21:12:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 486K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3

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IRFS3207ZTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：170 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0041 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：670 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS3207ZTRLPBF 数据手册

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IRFB3207ZPbF  
IRFS3207ZPbF  
IRFSL3207ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
ꢀ High Efficiency Synchronous Rectification in  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
75V  
SMPS  
3.3mΩ  
4.1mΩ  
170Aꢁ  
120A  
ꢀ Uninterruptible Power Supply  
ꢀ High Speed Power Switching  
ꢀ Hard Switched and High Frequency Circuits  
G
Benefits  
D
D
ꢀ Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
D
dv/dt Ruggedness  
ꢀ Fully Characterized Capacitance and  
Avalanche SOA  
ꢀ Enhanced body diode dV/dt and dI/dt  
Capability  
ꢀ Lead-Free  
ꢀ RoHSCompliant,Halogen-Free  
S
S
S
D
D
G
G
G
D2Pak  
TO-262  
TO-220AB  
IRFB3207ZPbF  
IRFS3207ZPbF  
IRFSL3207ZPbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Base Part Number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Quantity  
IRFB3207ZPbF  
IRFSL3207ZPbF  
TO-220  
TO-262  
Tube  
50  
IRFB3207ZPbF  
Tube  
Tube  
50  
50  
IRFSL3207ZPbF  
IRFS3207ZPbF  
IRFS3207ZPbF  
D2Pak  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
800  
800  
IRFS3207ZTRLPbF  
IRFS3207ZTRRPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
170  
ꢁ
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)  
120  
ꢁ
A
120  
670  
300  
Pulsed Drain Current  
ꢂ
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
2.0  
W/°C  
V
± 20  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
16  
Peak Diode Recovery  
ꢃ
dv/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lb in (1.1N m)  
ꢈ
ꢈ
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
EAS (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
ꢄ
170  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
mJ  
A
Avalanche Current  
ꢂ
IAR  
Repetitive Avalanche Energy  
ꢅ
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Junction-to-Case ꢆ  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
–––  
Units  
Rθ  
JC  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
0.50  
°C/W  
CS  
Rθ  
Junction-to-Ambient, TO-220  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
–––  
–––  
62  
40  
ꢆ
JA  
Rθ  
ꢇꢆ  
JA  
1
www.irf.com © 2015 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
August 18, 2015  
1234567...12

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与IRFS3207ZTRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS3207ZTRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3306 INFINEON

获取价格

 		60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3306PBF INFINEON

获取价格

 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3306TRLPBF INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3307 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3307_06 INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply
IRFS3307PBF INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFS3307TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3307TRR INFINEON

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 		暂无描述

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