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IRFS3206

更新时间： 2023-09-03 20:32:16
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
13页 329K
描述
60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

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IRFS3206 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：6.97
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：210 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.003 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：840 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS3206 数据手册

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IRFB3206PbF  
IRFS3206PbF  
IRFSL3206PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
60V  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification  
D
VDSS  
in SMPS  
RDS(on) typ.  
2.4m  
3.0m  
210A  
l UninterruptiblePowerSupply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
max.  
G
ID  
(Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
120A  
S
S
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic  
D
D
dV/dt Ruggedness  
l Fully Characterized Capacitance and  
AvalancheSOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
l RoHSCompliant,Halogen-Free  
D
S
D
S
D
D
G
G
G
D2Pak  
IRFS3206PbF  
TO-262  
IRFSL3206PbF  
TO-220AB  
IRFB3206PbF  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Base Part Number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Form  
Quantity  
IRFB3206PbF  
IRFSL3206PbF  
TO-220  
TO-262  
Tube  
50  
IRFB3206PbF  
Tube  
Tube  
50  
50  
IRFSL3206PbF  
IRFS3206PbF  
IRFS3206PbF  
D2Pak  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
800  
800  
IRFS3206TRLPbF  
IRFS3206TRRPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Max.  
210  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)  
Pulsed Drain Current  
150  
ID @ TC = 100°C  
120  
ID @ TC = 25°C  
840  
IDM  
300  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
2.0  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
± 20  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
5.0  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
300  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
10lb in (1.1N m)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
EAS (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
170  
mJ  
A
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
Rθ  
0.50  
–––  
62  
JC  
Rθ  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
0.50  
–––  
CS  
°C/W  
Rθ  
Junction-to-Ambient, TO-220  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
Rθ  
JA  
–––  
40  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
April 24, 2014  
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS3206PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3206TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206TRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3207PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS3207TRLPBF INFINEON

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