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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFS31N20DTRR
IRFS31N20DTRR PDF预览

IRFS31N20DTRR

更新时间： 2024-01-28 06:22:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 193K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB

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IRFS31N20DTRR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.75
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches：1

IRFS31N20DTRR 数据手册

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PD- 93805B  
IRFB31N20D  
IRFS31N20D  
IRFSL31N20D  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
VDSS  
200V  
RDS(on) max  
ID  
31A  
0.082Ω  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRFS31N20D  
TO-262  
IRFSL31N20D  
TO-220AB  
IRFB31N20D  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
31  
21  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
124  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation ‡  
3.1  
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
2.1  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw†  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Typical SMPS Topologies  
l Telecom 48V Input Forward Converters  
Notes  through ‡are on page 11  
www.irf.com  
1
2/14/00  
1234567...11

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IRFS31N20DTRR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS31N20DPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma

与IRFS31N20DTRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFS31N20DTRRP INFINEON

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IRFS3206 INFINEON

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IRFS3206PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFS3206TRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3206TRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207 INFINEON

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IRFS3207PBF INFINEON

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IRFS3207TRLPBF INFINEON

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IRFS3207TRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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