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IRFS3207

更新时间： 2024-02-22 01:18:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
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11页 385K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFS3207 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.59
雪崩能效等级（Eas）：170 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：670 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFS3207 数据手册

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PD - 96893A  
IRFB3207  
IRFS3207  
IRFSL3207  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  
l Uninterruptible Power Supply  
l High Speed Power Switching  
l Hard Switched and High Frequency Circuits  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
75V  
3.6m:  
G
4.5m:  
180A  
max.  
Benefits  
l Worldwide Best RDS(on) in TO-220  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
ID  
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
SOA  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
G D S  
G D S  
G D S  
D2Pak  
IRFS3207  
TO-262  
IRFSL3207  
TO-220AB  
IRFB3207  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Max.  
180c  
130c  
720  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current d  
PD @TC = 25°C  
330  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
2.2  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
5.8  
Peak Diode Recovery f  
Operating Junction and  
dV/dt  
TJ  
V/ns  
°C  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
10lbxin (1.1Nxm)  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
Avalanche Characteristics  
Single Pulse Avalanche Energy e  
EAS (Thermally limited)  
910  
mJ  
A
Avalanche Currentꢀc  
IAR  
See Fig. 14, 15, 16a, 16b,  
Repetitive Avalanche Energy g  
EAR  
mJ  
Thermal Resistance  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case k  
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220  
0.50  
–––  
°C/W  
Junction-to-Ambient, TO-220 k  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak jk  
–––  
40  
www.irf.com  
1
11/3/04  
1234567...11

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IRFS3207 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS3207TRLPBF INFINEON

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 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207TRRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3207Z INFINEON

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 		75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3207ZPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRFS3306 INFINEON

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 		60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装
IRFS3306PBF INFINEON

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 		High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

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