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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 7.51 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 230 A | 最大漏极电流 (ID)： | 195 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.003 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 370 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 900 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRFS3107 | INFINEON |
功能相似  |
Advanced Process Technology |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFS3107-7P | INFINEON |
获取价格 |
75V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 7 |
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| IRFS3107-7PPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3107PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFS3107TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS3107TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS31N20D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A) |
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| IRFS31N20DHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFS31N20DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)ma |
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| IRFS31N20DTRL | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB |
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| IRFS31N20DTRLP | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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