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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFS3107
AUIRFS3107 PDF预览

AUIRFS3107

更新时间： 2024-01-27 05:47:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 667K
描述
Advanced Process Technology

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AUIRFS3107 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.11其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：195 A最大漏极电流 (ID)：195 A
最大漏源导通电阻：0.003 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：370 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：900 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFS3107 数据手册

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PD - 96394A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS3107  
Features  
AUIRFSL3107  
Advanced Process Technology  
HEXFET® Power MOSFET  
UltraLowOn-Resistance  
Enhanced dV/dT and dI/dT capability  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
D
VDSS  
RDS(on) typ.  
75V  
2.5m  
3.0m  
max.  
G
ID  
ID  
230A  
(Silicon Limited)  
195A  
Description  
(Package Limited)  
S
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersilicon  
area. Additional features of this design are a 175°C junction  
operating temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescombinetomake  
thisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforusein  
D
D
S
S
D
G
G
D2Pak  
Automotiveapplicationsandawidevarietyofotherapplications.  
TO-262  
AUIRFS3107  
AUIRFSL3107  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
230  
160  
A
195  
900  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
W
370  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
300  
Gate-to-Source Voltage  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
14  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
Junction-to-Case  
RθJA  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/1/11  
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AUIRFS3107 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS3107TRLPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFS3107PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
AUIRFS3107TRL INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFS3107-7P INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
AUIRFS3107-7TRL INFINEON

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 		HEXFETPower MOSFET
AUIRFS3107-7TRR INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
AUIRFS3107TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS3107TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS3206 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
AUIRFS3206TRL INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
AUIRFS3206TRR INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
AUIRFS3207Z INFINEON

获取价格

 		Specifically designed for Automotive applications
AUIRFS3207ZTRL INFINEON

获取价格

 		Specifically designed for Automotive applications

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