5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFS3307Z
AUIRFS3307Z PDF预览

AUIRFS3307Z

更新时间： 2024-02-06 11:23:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 267K
描述
Advanced Process Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

AUIRFS3307Z 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：140 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFS3307Z 数据手册

 浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AUIRFS3307Z的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96404A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS3307Z  
AUIRFSL3307Z  
HEXFET® Power MOSFET  
75V  
Features  
l
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
VDSS  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
RDS(on) typ.  
max.  
ID (Silicon Limited)  
4.6mΩ  
5.8mΩ  
128A  
G
S
ID (Package Limited)  
120A  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junctionoperatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
D
D
S
S
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
AUIRFS3307Z  
AUIRFSL3307Z  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Max.  
128  
90  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
Pulsed Drain Current  
120  
512  
230  
1.5  
PD @TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
± 20  
6.7  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery  
dv/dt  
EAS (Thermally limited)  
V/ns  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
140  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
TJ  
mJ  
-55 to + 175  
300  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.65  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
JC  
°C/W  
JA  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/17/11  
1234567...13

中文翻译

下载PDF

与AUIRFS3307Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFS3307ZTRL INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
AUIRFS3307ZTRR INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
AUIRFS3607 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRFS3607TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRFS3607TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
AUIRFS3806 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS3806TRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS3806TRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS4010 INFINEON

获取价格

 		Automotive applications
AUIRFS4010-7P INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与AUIRFS3307Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证