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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFS4010
AUIRFS4010 PDF预览

AUIRFS4010

更新时间： 2024-01-15 06:08:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 662K
描述
Automotive applications

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AUIRFS4010 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：318 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0047 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：375 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFS4010 数据手册

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PD - 96396A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS4010  
Features  
AUIRFSL4010  
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
HEXFET® Power MOSFET  
l
l
l
l
l
l
D
S
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
VDSS  
RDS(on) typ.  
100V  
3.9m  
4.7m  
180A  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
G
max.  
ID  
Description  
D
D
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junctionoperatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
S
S
D
G
G
D2Pak  
AUIRFS4010  
TO-262  
AUIRFSL4010  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
180  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
127  
A
720  
PD @TC = 25°C  
375  
W
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
318  
Gate-to-Source Voltage  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
31  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
°C/W  
Rθ  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
JA  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
11/1/11  
1234567...13

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AUIRFS4010 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFS4010PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET
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