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AUIRFS4010-7TRL PDF预览

AUIRFS4010-7TRL

更新时间： 2024-09-29 18:04:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
12页 267K
描述
Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, D2PAK-7

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AUIRFS4010-7TRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, D2PAK-7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：330 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：190 A
最大漏极电流 (ID)：190 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：740 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFS4010-7TRL 数据手册

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AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS4010-7P  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max. 4.0m  
100V  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
3.3m  
Ω
EnhanceddV/dTanddI/dTcapability  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
AutomotiveQualified*  
G
Ω
ID  
190A  
D
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieve  
extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of  
thisdesign area175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitching  
speed and improved repetitive avalanche rating . These features  
combinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledevice  
for use in Automotive applications and a wide variety of other  
applications.  
S
S
S
S
S
G
D2Pak 7 Pin  
AUIRFS4010-7P  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Standard Pack  
Form  
Tube  
Base Part Number  
AUIRFS4010-7P  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
50  
800  
800  
AUIRFS4010-7P  
AUIRFS4010-7TRL  
AUIRFS4010-7TRR  
D2Pak- 7 Pin  
Tape and Reel Left  
Tape and Reel Right  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestressratingsonly;  
andfunctionaloperationofthedeviceattheseoranyotherconditionbeyondthoseindicatedinthespecificationsisnotimplied.Exposureto  
absolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability.Thethermalresistanceandpowerdissipationratings  
are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA) is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
190  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
130  
A
740  
PD @TC = 25°C  
W
380  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
2.5  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
± 20  
330  
Gate-to-Source Voltage  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Avalanche Current  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b  
EAR  
mJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
26  
dv/dt  
TJ  
V/ns  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.40  
40  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
JA  
°C/W  
Rθ  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
March 10, 2014  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFS4010-7TRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
AUIRFS4010TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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 		暂无描述
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