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AUIRFS4410ZTRL PDF预览

AUIRFS4410ZTRL

更新时间： 2024-02-25 05:11:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 289K
描述
Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3

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AUIRFS4410ZTRL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.15其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：242 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：97 A最大漏极电流 (ID)：97 A
最大漏源导通电阻：0.009 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AUIRFS4410ZTRL 数据手册

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PD - 96405A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS4410Z  
AUIRFSL4410Z  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
l
Advanced Process Technology  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free,RoHSCompliant  
Automotive Qualified *  
l
l
l
l
l
l
D
S
VDSS  
RDS(on) typ.  
max.  
100V  
7.2m  
9.0m  
Ω
Ω
G
ID  
97A  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisdesign area175°C  
junctionoperatingtemperature, fastswitchingspeedand  
improved repetitive avalanche rating . These features  
combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in Automotive applications and a  
wide variety of other applications.  
D
D
S
S
D
D
G
G
D2Pak  
AUIRFS4410Z  
TO-262  
AUIRFSL4410Z  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
Max.  
97  
Units  
A
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
69  
390  
PD @TC = 25°C  
W
230  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
1.5  
W/°C  
V
VGS  
± 20  
Gate-to-Source Voltage  
16  
242  
Peak Diode Recovery  
Single Pulse Avalanche Energy  
dv/dt  
EAS (Thermally limited)  
V/ns  
mJ  
A
Avalanche Current  
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
TJ  
mJ  
-55 to + 175  
300  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.65  
40  
Units  
Rθ  
Junction-to-Case  
JC  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
RθJA  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
10/4/11  
1234567...13

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AUIRFS4410ZTRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFS4410Z INFINEON

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IRFS4410ZTRLPBF INFINEON

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 Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 HEXFET Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AUIRFS4410ZTRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
AUIRFS4610 INFINEON

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 		AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFS4610STRL INFINEON

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AUIRFS4610STRR INFINEON

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 		AUTOMOTIVE GRADE
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