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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AUIRFS3206TRR
AUIRFS3206TRR PDF预览

AUIRFS3206TRR

更新时间： 2024-02-08 04:12:02
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
13页 292K
描述
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance

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AUIRFS3206TRR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：170 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.003 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：840 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

AUIRFS3206TRR 数据手册

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PD - 96401A  
AUTOMOTIVE GRADE  
AUIRFS3206  
AUIRFSL3206  
Features  
HEXFET® Power MOSFET  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
D
S
V(BR)DSS  
RDS(on) typ.  
max.  
60V  
2.4m  
3.0m  
210A  
Enhanced dV/dT and dI/dT capability  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free, RoHS Compliant  
Automotive Qualified *  
G
ID  
(Silicon Limited)  
ID (Package Limited)  
120A  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersilicon  
area. Additional features of this design are a 175°C junction  
operating temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescombinetomake  
this design an extremely efficient and reliable device for use  
in Automotive applications and a wide variety of other  
D
D
S
D
S
D
G
G
D2Pak  
TO-262  
AUIRFSL3206  
AUIRFS3206  
applications.  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Absolute Maximum Ratings  
Stressesbeyondthoselistedunder“AbsoluteMaximumRatings”maycausepermanentdamagetothedevice.Thesearestress  
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications  
is not implied.Exposuretoabsolute-maximum-ratedconditionsforextendedperiodsmayaffectdevicereliability. Thethermal  
resistanceandpowerdissipationratingsaremeasuredunderboardmountedandstillairconditions.Ambienttemperature(TA)  
is 25°C, unless otherwise specified.  
Max.  
Parameter  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited)  
210  
150  
A
120  
840  
Pulsed Drain Current  
PD @TC = 25°C  
300  
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
W
W/°C  
V
2.0  
VGS  
± 20  
170  
Gate-to-Source Voltage  
EAS (Thermally limited)  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
Operating Junction and  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D2Pak  
Typ.  
–––  
Max.  
0.50  
40  
Units  
°C/W  
Rθ  
JC  
RθJA  
–––  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/  
www.irf.com  
1
09/06/11  
1234567...13

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